НИИ Сапфир

В 1968 году молодой человек принят начальником лаборатории в НИИ Сапфир.

 

Прекрасное здание и великолепные помещения располагали к инициативной и творческой работе.

История создания института.

1951 год. в Москве Постановлением Совмина был организован НИИ-311, ориентированный на совершенно новое по тем временам направление – радиоэлектронику. Институт был создан на базе трех предприятий: радиозавода им. Красина, артели «Коопутиловец» и завода «Сирокко». В годы Великой отечественной войны предприятия выпускали военную продукцию: гранаты, авиа-снаряды, автозаправщики, редукторы к ракетным установкам «Катюша».

В 1956 году НИИ-311 переводится в Министерство радиотехнической промышленности и на него возлагается ответственность за разработку полупроводниковых диодов и тиристоров. Требования к институту возросли. В то же время у него не было ни одного подходящего для работы здания. Сложно представить, что на территории нынешнего предприятия на заре его становления находилось… самое настоящее болото. На плечи первых директоров «Сапфира» (Л. Кирпичникова, М. Климанова, Б. Гуляева) легла непростая задача: перепрофилировать штамповочное производство в предприятие, отвечающее современным стандартам электроники по чистоте, точности обработки, сложности процессов.

Практически вслед за НИИ-311 была образована кафедра физики и полупроводников на физическом факультете МГУ им. Ломоносова. Сотрудники обоих научных центров до сих пор поддерживают тесные связи, а на заре становления новой науки ученые работали практически над одними и теми же стратегическими проблемами. Работы сыграли огромную роль в понимании физических процессов в кристаллических полупроводниках и использовались при разработке полупроводниковых приборов.

В 60-70-х годах к производству подключили практически два десятка заводов по всей стране. НИИ начал заниматься не только производственной, но и обучающей деятельностью, передавая свой опыт другим предприятиям, обучая их кадры.

За все время за успехи, достигнутые в разработке и производстве новых классов полупроводниковых приборов, более 30 специалистов предприятия удостоены Ленинских и Государственных Премий СССР, Премий Совета Министров СССР и Ленинского комсомола. Ряд сотрудников награжден орденами Ленина, Трудового Красного Знамени, Знак Почета и Дружбы народов.

Постепенно образовывался, рос и расширялся круг разработчиков, высококвалифицированных специалистов, профессионалов, способных создавать самые совершенные полупроводниковые приборы. Сотрудниками предприятия защищено 6 докторских и 115 кандидатских диссертаций.

С конца 80-х годов в радиоэлектронике, как и во всем оборонно-промышленном комплексе России начался период упадка. За 15 лет перестройки и так называемой рыночной экономики и институт и электронная отрасль понесли значительные потери. Общее состояние российского ВПК было плачевным. Очень много предприятий были вынуждены пойти на перепрофилирование и, забросив научные разработки, заняться производством товаров народного потребления. Практически без возможности творческой и научной реализации остались многие сотрудники институтов, составлявших гордость российской науки. Научный потенциал нашей страны никогда не ставился под сомнение мировым сообществом. «Охотники за головами» российских ученых и изобретателей практически всех зарубежных стран никогда не сидели без дела. Утечка «мозгов», не нашедших себе применения в новых условиях хозяйствования, нанесла колоссальный урон электронной и оборонной отраслям. Для НПП «Сапфир» перестроечное время тоже было непростым. Устарело оборудование, снизилась эффективность работы, ухудшились экономические показатели…

Тем не менее, предприятие сумело сохранить свой научно технический и производственный потенциал.
В 1995 и 1997 годах на основе КМОП КНС технологии разработаны и производятся специализированные интегральные микросхемы: БИС КМОП КНС микропроцессорного набора из 14 микросхем, включающих 16-разрядные микропроцессор и арифметический умножитель, статические ОЗУ емкостью 4 кбит, масочные ПЗУ емкостью 16 и 32 кбит, а также схемы интерфейса, позволяющие создавать законченные вычислительные комплексы. Помимо этого, предприятие стало выпускать измерители временных интервалов, быстродействующие ЦАП и параллельные АЦП на 10-12 двоичных разрядах с тактовой частотой 15...50 МГц. На основе КМОП КНС технологии разрабатываются высокотемпературные микросхемы (Т=200...250°С).

Конструкция быстродействующих КМОП КНС транзисторов, сохраняющих динамические параметры в особо жестких условиях эксплуатации, были отмечены в 1997 году Золотой медалью Всемирного салона изобретений в Брюсселе. Это была убедительная победа российских ученых в ситуации, когда государство практически не интересовалось отраслью.Ведь долгое время микросхемы не были востребованы, но в 2000—2001 гг. наметились тенденции в повышении заинтересованности у Министерства обороны РФ, Росавиакосмоса и Минатома к высокотехнологичным изделиям, разрабатываемым НПП «Сапфир», в том числе и к БИС КМОП КНС новых поколений.

В 60-е годы директором института  был Акимов Юрий Степанович. С моей точки зрения, интересный человек, способный отлично ориентироваться в перспективных направления развития электронной промышленности.  Бурное развитие систем противоракетной обороны А — 135 требовало разработки новых СВЧ полупроводниковых приборов и устройств на них, а также новых методик проведения

испытаний и измерений. Видимо знания молодого специалиста привлекли внимание талантливого руководителя и с его помощью была организована лаборатория СВЧ устройств в гибридно — интегральном исполнении с мощной технологической и измерительной базой.

Вклад НИИ Сапфир в создание антенны.

 

Социальные сети:
  • Facebook
  • Twitter
  • В закладки Google
  • Blogger
  • RSS
  • Одноклассники
  • Live
  • Добавить ВКонтакте заметку об этой странице
  • Мой Мир

Похожие записи

  • Нет похожих записей

О сайте Станислав Ковыкин

Раб своих увлечений
Эта запись была опубликована в рубрике Архив, Документы, Новости, Приборы. Добавить в закладки ссылку.

Добавить комментарий